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Na eletrônica, o Transistor Darlington é um dispositivo semicondutor que combina dois transístores bipolares no mesmo encapsulamento (as vezes chamado par Darlington).

A configuração (originalmente realizada com dois transistores separados) foi inventada pelo engenheiro Sidney Darlington dos Laboratorios Bell. A ideia de por dois ou três transistores em um mesmo chip foi patentada por ele, mas não a ideia de por um número arbitrário de transistores, o que originaria o conceito moderno de circuitos integrados.

Esta configuração serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um grande ganho de corrente (hFE ou parâmetro β do transistor) e, por estar todo integrado, requer menos espaço do que o dos transistores normais na mesma configuração. O Ganho total do Darlington é produto do ganho dos transistores individuais. Um dispositivo típico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior. Comparado a um transistor comum, apresenta uma maior defasagem em altas freqüências, por isso pode tornar-se facilmente instavel. A tensão base-emissor também é maior. consiste da soma das tensões base-emisor, e para transistores de silicio é superior a 1.2V.

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